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為什么熱氧化工藝一般要摻氯?


發(fā)布時間:

2025-01-06

  什么是熱氧化工藝?

  熱氧化工藝是在半導(dǎo)體制造過程中用于在晶圓表面生成氧化硅(SiO?)層,分為濕氧與干氧,主要在芯片制程中用來做絕緣層如柵氧化層,場氧化層,STI隔離層,或保護鈍化層等。

  DCE是什么?

  DCE指反式,1,2-二氯乙烯,含氯有機化合物,化學(xué)式為C2H4Cl2,是熱氧化摻氯工藝中提供氯元素的物質(zhì)。

  除了DCE,早期還有氯氣,三氯乙烯(TCE),1,1,1三氯乙烷(TCA),HCl等均可作為摻氯物質(zhì)。但是 TCE是致癌物質(zhì)已不再使用,TCA會對臭氧造成破壞,因此用HCl與DCE作為摻氯物質(zhì)使用較多。

  熱氧化工藝摻氯有什么作用?

  1,增強氧化速度,能使氧化速率提升 10%~15%。

  2,鈍化可動離子,特別是Na+,K+,鈉,鉀離子在電場作用下移動到硅片表面,影響電學(xué)特性,導(dǎo)致器件不穩(wěn)定。而摻氯可固定可動離子,避免其移動。

  3,中和Si-SiO2界面處電荷,減少氧化層缺陷。

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